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无源晶振选型时，除了频率和精度，还应该匹配负载电容。

1. 芯片的输入电容：

• 每个芯片的晶振输入引脚都有一定的输入电容。这个输入电容是芯片内部的，是构成总负载电容的一部分。

1. 总负载电容的组成：

• $总负载电容 = (C_1 * C_2) / (C_1 + C_2) + C_stray$
• 其中，C1和C2是外部添加的负载电容
• Cstray是杂散电容，包括芯片的输入电容、PCB走线的电容等

1. 芯片规格：

• 许多芯片数据手册会指定推荐的晶振负载电容值或范围。
• 这个推荐值考虑了芯片的输入电容。

1. 调整需求：

• 有时，可能需要根据具体的芯片和电路布局来微调外部负载电容，以达到最佳的振荡性能。

1. 示例情况：

• 假设晶振要求12.5pF的负载电容，芯片的输入电容是5pF。
• 那么外部需要添加的每个负载电容大约为15pF ((12.5pF - 5pF) * 2 ≈ 15pF)。

1. 芯片特性的影响：

• 不同芯片的输入电容可能不同，这会影响外部负载电容的选择。
• 某些芯片可能内置可编程负载电容，允许通过软件调整。